DIN EN 62373 : 2007現(xiàn)行

BIAS-TEMPERATURE STABILITY TEST FOR METAL-OXIDE, SEMICONDUCTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MOSFET)

出版：German Institute for Standardisation (Deutsches Institut für Normung)

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)： DIN EN 62373 : 2007

標(biāo)準(zhǔn)類別：Standard

出版單位：German Institute for Standardisation (Deutsches Institut für Normung)

標(biāo)準(zhǔn)頁(yè)數(shù)：0

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

Defines a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test of metal-oxide semiconductor, field-effect transistors (MOSFET).

本標(biāo)準(zhǔn)替代的舊標(biāo)準(zhǔn)

DIN IEC 62373 : DRAFT 2004

等同采用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

I.S. EN 62373:2006 - Identical

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