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半導(dǎo)體材料雜質(zhì)含量紅外吸收光譜分析通用導(dǎo)則 現(xiàn)行

General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 20744-1999

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 20744-1999
發(fā)布時(shí)間：1999-11-10
實(shí)施時(shí)間：1999-12-01
首發(fā)日期：
出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：何秀坤、汝秀坤、李光平、李靜
出版機(jī)構(gòu)：電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)：  >>>>L5971
起草單位：電子工業(yè)部第四十六研究所
歸口單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門(mén)：中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)含量的紅外吸收分析方法的術(shù)語(yǔ)、基本原理、儀器設(shè)備、樣口制備、測(cè)量條件、測(cè)量步驟和測(cè)量結(jié)果的計(jì)算。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在紅外光譜區(qū)為透明的并在該區(qū)域產(chǎn)生雜質(zhì)吸收帶的任何半導(dǎo)體單晶材料紅外分析方法。

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