半導體分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反壓晶體管詳細規范 現行
Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440
標準號：SJ 20176-1992
基本信息
標準號：SJ 20176-1992
發布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
首發日期：
出版單位：電子工業出版社查看詳情>
起草人：王長福、吳鑫奎、龔云
出版機構：電子工業出版社
標準分類： 技術管理
提出單位：中國電子工業總公司科技質量局
起草單位：中國電子技術標準化研究所和國營八二三一廠
歸口單位：中國電子技術標準化研究所
發布部門：中國電子工業總公司
標準簡介
本規范規定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。
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