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半導(dǎo)體分立器件 ３ＤＫ３８型功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete device-Detail specification for Type 3DK38 power switching transistor

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 20172-1992

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 20172-1992
發(fā)布時間：1992-11-19
實(shí)施時間：1993-05-01
首發(fā)日期：
出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：蔡仁明、楊子江、張永安、劉東才
出版機(jī)構(gòu)：電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 技術(shù)管理
提出單位：中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局
起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
歸口單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門：中國電子工業(yè)總公司

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本規(guī)范規(guī)定了3DK38B~H型功率開關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每咱器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個等(GP、GT和GCT級).

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