
Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2218,3DK2218A, 3DK2219 and 3DK2219A
標準號:SJ 20173-1992
基本信息
標準號:SJ 20173-1992
發布時間:1992-11-19
實施時間:1993-05-01
首發日期:
出版單位:電子工業出版社查看詳情>
起草人:王長福、王承琳、徐錦仙、鐘泰富
出版機構:電子工業出版社
標準分類: 技術管理
提出單位:中國電子工業總公司科技質量局
起草單位:中國電子技術標準化研究所
歸口單位:中國電子技術標準化研究所
發布部門:中國電子工業總公司
標準簡介
本規范規定了3DK2218、3DK2218A、3DK2219和3DK2219A型NPN硅小功率開關晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。每種器件按GJB33《半導體分立器件規范》的規定,提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。
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