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半導體分立器件 ３ＤＤ６型功率晶體管詳細規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete device-Detail specification for Type 3DD6 power transistor

標準號：SJ 20183-1992

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基本信息

標準號：SJ 20183-1992
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
首發(fā)日期：
出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：蔡仁明、任慧敏、周志坤、羅德炎
出版機構(gòu)：電子工業(yè)出版社
標準分類： 技術(shù)管理
起草單位：中國電子技術(shù)標準化研究所
歸口單位：中國電子技術(shù)標準化研究所
發(fā)布部門：中國電子工業(yè)總公司

標準簡介

本規(guī)范規(guī)定了3DD6B~I型功率晶體管的詳細要求。每種器件均按GJB33《半導體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

替代情況

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引用標準

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采標情況

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