功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范 現(xiàn)行
Technical specification for power light-emitting diode chips
標準號：SJ/T 11398-2009
基本信息
標準號：SJ/T 11398-2009
發(fā)布時間：2009-11-17
實施時間：2010-01-01
首發(fā)日期：
出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：崔波、張萬生、蔡偉智、胡愛華
出版機構(gòu)：電子工業(yè)出版社
標準分類： 微波、毫米波二、三極管
ICS分類：光電子學、激光設(shè)備
起草單位：中國電子科技集團公司第十二研究所、廈門三安電子有限公司、廈門華聯(lián)電子有限公司
歸口單位：工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究所
發(fā)布部門：工業(yè)和信息化部
主管部門：工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究所
標準簡介
主要規(guī)定了功率半導體發(fā)光二極管芯片材料、尺寸、鍵合區(qū)、標志、外觀質(zhì)量、絕對最大額定值和光電特性、質(zhì)量保證規(guī)定、交貨準備、目檢、靜電放電敏感度測試和分級方法等。
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