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EIA JESD 22-C101:2008被替代

Field-induced Charged-device Model Test Method For Electrostatic Discharge Withstand Thresholds Of Microelectronic Components

出版:JEDEC Solid State Technology Association

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基本信息
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào): EIA JESD 22-C101:2008
發(fā)布時(shí)間:2008/10/1 0:00:00
標(biāo)準(zhǔn)類別:Standard
出版單位:JEDEC Solid State Technology Association
標(biāo)準(zhǔn)頁數(shù):0
標(biāo)準(zhǔn)簡介

Describes a uniform method for establishing charged-device model electrostatic discharge withstand thresholds. The charged-device-model simulates charging/discharging events that occur in production equipment and processes.

標(biāo)準(zhǔn)備注

Supersedes EIA JESD 22 (07/2004)

本標(biāo)準(zhǔn)替代的舊標(biāo)準(zhǔn)

EIA JESD 22-C101:2004

EIA JESD 22:1987

替代本標(biāo)準(zhǔn)的新標(biāo)準(zhǔn)

EIA JESD 22-C101:2009