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半導(dǎo)體分立器件 ３ＤＧ９１８型ＮＰＮ硅超高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 20175-1992

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 20175-1992
發(fā)布時(shí)間：1992-11-19
實(shí)施時(shí)間：1993-05-01
首發(fā)日期：
出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：王長(zhǎng)福、長(zhǎng)宗國(guó)、任繼利、謝佩蘭
出版機(jī)構(gòu)：電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 技術(shù)管理
提出單位：中國(guó)電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局
起草單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所和國(guó)營(yíng)九七零廠
歸口單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門：中國(guó)電子工業(yè)總公司

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本規(guī)范規(guī)定了3DG9l8型NPN硅超高頻小功率晶體管(以某側(cè)箍器件)的詳細(xì)婆$b該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等(GP、GT和GCT級(jí)).

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