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半導(dǎo)體分立器件 ２ＣＷ２９７０～３０１５型硅電壓調(diào)整二極管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CW2970～3015

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 20186-1992

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 20186-1992
發(fā)布時間：1992-11-19
實(shí)施時間：1993-05-01
首發(fā)日期：
出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：于志賢、劉東才
出版機(jī)構(gòu)：電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 技術(shù)管理
提出單位：中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局
起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所和國營八七三廠
歸口單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門：中國電子工業(yè)總公司

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本規(guī)范規(guī)定了2CW2970~3015型的型（標(biāo)準(zhǔn)極性）硅電壓調(diào)整二極管（以下簡稱器件)的詳細(xì)要求。該器件按GJB33〈〈半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范〉〉的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三企等級(GP，GT和GCT級).

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