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半導體分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS146

標準號：SJ 20061-1992

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基本信息

標準號：SJ 20061-1992
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
首發(fā)日期：
出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：王長福、吳志龍、劉美英、張宗國
出版機構(gòu)：電子工業(yè)出版社
標準分類： 技術(shù)管理
提出單位：中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局
起草單位：中國電子技術(shù)標準化研究所
歸口單位：中國電子技術(shù)標準化研究所
發(fā)布部門：中國電子工業(yè)總公司

標準簡介

本規(guī)范規(guī)定了CS146型硅Ｎ溝道結(jié)型場效應晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GJB33《半導體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

替代情況

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引用標準

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