
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon rectifier diodes for Types 2CZ5550 through 2CZ5554
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):SJ 20187-1992
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):SJ 20187-1992
發(fā)布時(shí)間:1992-11-19
實(shí)施時(shí)間:1993-05-01
首發(fā)日期:
出版單位:電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人:金貴永、劉東才
出版機(jī)構(gòu):電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 技術(shù)管理
提出單位:中國(guó)電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局
起草單位:中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所和國(guó)營(yíng)八七三廠
歸口單位:中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門:中國(guó)電子工業(yè)總公司
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本規(guī)范規(guī)定了2CZ5550~5554型硅整流二極管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》定,提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。
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