
Semiconductor discrete device-Detail specification for PNP silicon low-power switching transistor for Types 3CK3634~3CK3637
標準號:SJ 20177-1992
基本信息
標準號:SJ 20177-1992
發(fā)布時間:1992-11-19
實施時間:1993-05-01
首發(fā)日期:
出版單位:電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人:王長福、朱志光、賈蕙蓉、鐘泰富
出版機構(gòu):電子工業(yè)出版社
標準分類: 技術(shù)管理
提出單位:中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局
起草單位:中國電子技術(shù)標準化研究所和濟南半導體所
歸口單位:中國電子技術(shù)標準化研究所
發(fā)布部門:中國電子工業(yè)總公司
標準簡介
本規(guī)范規(guī)定了3CK3634~3CK3637mPNP硅小功率開關(guān)晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。該秒器件按GJB33《半導體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定,提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。
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