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碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法 現(xiàn)行

Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 31351-2014

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 31351-2014
發(fā)布時(shí)間：2014-12-31
實(shí)施時(shí)間：2015-09-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉振洲
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬無損檢驗(yàn)方法
ICS分類：金屬材料的其他試驗(yàn)方法
提出單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院物理研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/T

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無損檢測方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片經(jīng)單面拋光或雙面拋光后、微管的徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測量。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)和全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院物理研究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉振洲。

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