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多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法
多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法 現行
Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
標準號：GB/T 33236-2016
基本信息
標準號：GB/T 33236-2016
發布時間：2016-12-13
實施時間：2017-11-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：卓尚軍、錢榮、董疆麗、申如香、盛成、高捷、鄭文平
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 基礎標準與通用方法
ICS分類：化學分析
提出單位：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
起草單位：中國科學院上海硅酸鹽研究所
歸口單位：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了采用輝光放電質譜(GD?MS)法測量多晶硅中雜質元素的測試方法。?本標準適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質元素含量的測定，測量范圍是本方法的檢出限至0.1%（質量分數)，檢出限根據所用儀器及測量條件確定。通過合適的標準樣品校正，也可以測量質量分數大于0.1%的雜質元素含量。單晶硅材料中痕量雜質元素也可參照本標準測量。?
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