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表面化學分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜中深度剖析濺射速率的方法 即將實施

Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy,Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films

標準號：GB/T 41064-2021

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基本信息

標準號：GB/T 41064-2021
發(fā)布時間：2021-12-31
實施時間：2022-07-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：姚文清、段建霞、楊立平、王雅君、李展平、徐同廣、王巖華
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 基礎標準與通用方法
ICS分類：化學分析
提出單位：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
起草單位：清華大學、中國石油大學(北京)
歸口單位：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會

標準簡介

本文件規(guī)定了一種通過測定濺射速率校準材料濺射深度的方法，即在一定濺射條件下測定一種具有單層或多層膜參考物質的濺射速率，用作相同材料膜層的深度校準。當使用俄歇電子能譜(AES)、?X射?線光電子能譜(XPS)和二次離子質譜(SIMS)進行深度分析時，這種方法對于厚度在20 nm~200 nm之間的膜層具有5%~10%的準確度。濺射速率是由參考物質相關界面間的膜層厚度和濺射時間決定。使用已知的濺射速率并結合濺射時間，可以得到被測樣品的膜層厚度。測得的離子濺射速率可用于預測各種其他材料的離子濺射速率，從而可以通過濺射產(chǎn)額和原子密度的表值估算出這些材料的深度尺度和濺射時間。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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