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Ⅲ族氮化物外延片結晶質量測試方法 現行

Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers

標準號：GB/T 30653-2014

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基本信息

標準號：GB/T 30653-2014
發布時間：2014-12-31
實施時間：2015-09-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：孫寶娟、趙麗霞、王軍喜、曾一平、李晉閩
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料無損檢測
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：中國科學院半導體研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了利用高分辨X射線衍射儀測試Ⅲ族氮化物外延片結晶質量的方法原理、儀器、測試環境、樣品、測試、測試結果的分析、精密度以及測試報告。 本標準適用于在氧化物襯底（Al2O3、ZnO等）或半導體襯底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生長的氮化物(Ga、In、Al)N單層或多層異質外延片結晶質量的測試。其他異質外延片結晶質量的測試也可參考本標準。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:中國科學院半導體研究所。
本標準主要起草人:孫寶娟、趙麗霞、王軍喜、曾一平、李晉閩。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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