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半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分：晶閘管 第三篇 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor devices—Discrete devices—Part 6:thyristors—Section three—Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 13151-2005

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 13151-2005
發(fā)布時間：2005-03-23
實施時間：2005-10-01
首發(fā)日期：1991-08-29
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
出版機構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 電力半導(dǎo)體期間、部件
ICS分類：晶體閘流管
起草單位：全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
歸口單位：全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）

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