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硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法 已作廢

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 4058-1995

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 4058-1995
發(fā)布時(shí)間：1995-04-18
實(shí)施時(shí)間：1995-01-02
首發(fā)日期：1983-12-20
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
作廢日期：2010-06-01
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法
ICS分類：金屬材料化學(xué)分析
起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的晶體缺陷的檢測(cè)。

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