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硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 已作廢
The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
標準號：GB/T 1557-2006
基本信息
標準號：GB/T 1557-2006
發布時間：2006-07-18
實施時間：2006-11-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：梁紅、覃銳兵、王炎
作廢日期：2019-06-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料化學分析
提出單位：中國有色金屬工業協會
起草單位：峨眉半導體材料廠
歸口單位：全國有色金屬標準化技術委員會
發布部門：中華人民共和國質量監督檢驗檢疫總局和國家標準化管理委員會
主管部門：中國有色金屬工業協會
標準簡介
本標準規定了采用紅外光譜法測定硅單晶中的間隙氧含量的方法。本標準適用于室外溫電阻率大于0.1Ω·cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm中間的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。本標準測量氧含量的有效范圍從1×1016at·cm-3到硅中間隙氧的最大固熔度。
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