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硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法 現(xiàn)行

Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

標準號：GB/T 19444-2004

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基本信息

標準號：GB/T 19444-2004
發(fā)布時間：2004-02-05
實施時間：2004-07-01
首發(fā)日期：2004-02-05
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：蔣建國、屠妹英、賀東江、章云杰
出版機構(gòu)：中國標準出版社
標準分類： 金屬無損檢驗方法
ICS分類：絕緣流體綜合
提出單位：中國有色金屬工業(yè)協(xié)會
起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標準計量質(zhì)量研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標準化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規(guī)定了由測量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗步驟、數(shù)據(jù)計算等內(nèi)容。本標準用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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