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帶電粒子半導體探測器測試方法

Test procedures for semiconductor charged particle detectors
標準號:GB/T 5201-1994
基本信息
標準號:GB/T 5201-1994
發(fā)布時間:1994-01-02
實施時間:1995-10-01
首發(fā)日期:1985-07-18
出版單位:中國標準出版社查看詳情>
起草人:
作廢日期:2012-11-01
出版機構:中國標準出版社
標準分類: 核儀器與核探測器綜合
ICS分類:輻射測量
起草單位:北京核儀器廠
歸口單位:全國核儀器儀表標準化技術委員會
發(fā)布部門:國家技術監(jiān)督局
主管部門:國防科學技術工業(yè)委員會
標準簡介
本標準規(guī)定了帶電粒子半導體探測器電特性和核輻射性能的測試方法以及某些特殊環(huán)境的試驗方法。本標準適用于探測帶電粒子的部分耗盡金硅面壘型、鋰漂移金硅面壘型和表面鈍化離子注入平面硅型等半導體探測器。全耗盡金硅面壘型探測器的某些性能測試也應參照本標準執(zhí)行。
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