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硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法 現行

Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer

標準號：GB/T 29505-2013

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基本信息

標準號：GB/T 29505-2013
發布時間：2013-05-09
實施時間：2014-02-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：孫燕、李莉、盧立延、翟富義、向磊
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
起草單位：有研半導體材料股份有限公司、中國有色金屬工業標準計量質量研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)

標準簡介

本標準提供了硅片表面粗糙度測量常用的輪廓儀、干涉儀、散射儀三類方法的測量原理、測量設備和程序,并規定了硅片表面局部或整個區域的標準掃描位置圖形及粗糙度縮寫定義。本標準適用于平坦硅片表面的粗糙度測量;也可用于其他類型的平坦晶片材料,但不適用于晶片邊緣區域的粗糙度測量。本標準不適用于帶寬空間波長≤10nm 的測量儀器。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出并歸口。
本標準起草單位:有研半導體材料股份有限公司、中國有色金屬工業標準計量質量研究所。
本標準主要起草人:孫燕、李莉、盧立延、翟富義、向磊。

標準目錄

前言 Ⅲ
1 范圍 1
2 規范性引用文件 1
3 術語和定義 1
4 方法提要 2
5 干擾因素 3
6 儀器設備 3
7 粗糙度測量步驟 5
8 報告 8
附錄A (規范性附錄) 粗糙度測量規范和有關輸出的例子 9
附錄B(資料性附錄) 有關硅片粗糙度分布的試驗和模型(源于SEMIM40附錄) 11
參考文獻 25

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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