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電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法 現(xiàn)行

Electromagnetic compatibility - Testing and measurement techniques - Test methods for protective devices for HEMP conducted disturbance

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 17626.24-2012

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 17626.24-2012
發(fā)布時(shí)間：2012-11-05
實(shí)施時(shí)間：2013-02-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：鄔雄、萬保權(quán)、張建功、張廣洲、李妮、張澤平
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 電磁兼容
ICS分類：電磁兼容性(EMC)
起草單位：中國電力科學(xué)研究院、國網(wǎng)電力科學(xué)研究院
歸口單位：全國電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡介

GB/T17626的本部分規(guī)定了高空電磁脈沖(HEMP)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法。它主要包括電壓擊穿和電壓限制特性的試驗(yàn),以及在HEMP條件下,電壓(u)和電流(i)作為時(shí)間函數(shù)快速變化時(shí)的殘余電壓的測量方法。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

GB/T17626《電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù)》分為以下幾個(gè)部分:
GB/T17626.1—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論
GB/T17626.2—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.3—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.4—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.5—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.6—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
GB/T17626.7—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測量和測量儀器導(dǎo)則
GB/T17626.8—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 工頻磁場抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.9—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 脈沖磁場抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.10—1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 阻尼振蕩磁場抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.11—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.12—1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 振蕩波抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.13—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.14—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.15—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 閃爍儀 功能和設(shè)計(jì)規(guī)范
GB/T17626.16—2007 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 0Hz~150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.17—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.24—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法
GB/T17626.27—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.28—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.29—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和
電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.30—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電能質(zhì)量測量方法
本部分為GB/T17626的第24部分。
本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本部分等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-24:1997《電磁兼容(EMC) 試驗(yàn)和測量技術(shù) 第4-24部分:HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法》。
本部分由全國電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC246)歸口。
本部分負(fù)責(zé)起草單位:中國電力科學(xué)研究院。
本部分參與起草單位:國網(wǎng)電力科學(xué)研究院。
本部分主要起草人:鄔雄、萬保權(quán)、張建功、張廣洲、李妮、張澤平。

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