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離子注入機通用規(guī)范 現(xiàn)行

General specification of ion implantation equipment

標準號：GB/T 15862-2012

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基本信息

標準號：GB/T 15862-2012
發(fā)布時間：2012-11-05
實施時間：2013-02-15
首發(fā)日期：1995-12-22
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：郭健輝、彭立波、羅宏洋
出版機構(gòu)：中國標準出版社
標準分類： 加工專用設(shè)備
ICS分類：  31-550
提出單位：中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位：中國電子科技集團公司第四十八研究所
歸口單位：中國電子技術(shù)標準化研究所
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國電子技術(shù)標準化研究所

標準簡介

本標準規(guī)定了離子注入機的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗、檢驗規(guī)則和標志、包裝、運輸、貯存。本標準適用于半導(dǎo)體工藝用電能離子注入機。其他離子注入機亦可參照使用。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標準代替GB/T15862—1995《離子注入機通用技術(shù)條件》。
本標準與GB/T15862—1995相比主要變化如下:
———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替;
———增加術(shù)語“注入角度”(見3.6)、“最大晶片傳輸效率”(見3.7),并在性能指標及測試方法中做相應(yīng)要求(見6.4.6);
———環(huán)境溫度調(diào)整為23℃±2℃;相對濕度規(guī)定范圍30%~50%(見5.1.3);
———安全要求中增加“警示標識”的條款(見6.3.1);
———去掉表3、表4;
———均勻性測量增加了熱波探針法測量條件和方法(見6.4.4.1b));
———重復(fù)性測量增加了批間重復(fù)性測量方法(見6.4.5.2);
———檢驗規(guī)則去掉例行檢驗項。
本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。
本標準由中國電子技術(shù)標準化研究所歸口。
本標準起草單位:中國電子科技集團公司第四十八研究所。
本標準主要起草人:郭健輝、彭立波、羅宏洋。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB/T15862—1995。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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