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低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第4部分：高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng) 現(xiàn)行

Insulation coordination for equipment within low-voltage systems—Part 4:Consideration of high-frequency voltage stress

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 16935.4-2011

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 16935.4-2011
發(fā)布時間：2011-12-30
實(shí)施時間：2012-05-01
首發(fā)日期：2011-12-30
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：章建兵、包革、吳慶云
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 低壓電器綜合
ICS分類：電工器件
提出單位：中國電器工業(yè)協(xié)會
起草單位：上海電器科學(xué)研究院
歸口單位：全國低壓設(shè)備絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 417)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：全國低壓設(shè)備絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 417)

標(biāo)準(zhǔn)簡介

GB/T16935的本部分按電氣設(shè)備的性能標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電氣設(shè)備的電氣間隙、爬電距離及固體絕緣的要求。本部分包含了有關(guān)絕緣配合的電氣試驗(yàn)方法。本部分規(guī)定的最小電氣間隙的值不適用于存在離子化氣體的情況,針對該情況的特殊要求將由相關(guān)技術(shù)委員會規(guī)定。本部分適用于低壓設(shè)備內(nèi)耐受高頻電壓應(yīng)力的基本絕緣、附加絕緣及加強(qiáng)絕緣。本部分中的絕緣尺寸數(shù)據(jù)直接適用于基本絕緣;對于加強(qiáng)絕緣,IEC60664-1中給出的附加要求適用;本部分適用于基波頻率在30kHz至10MHz范圍之內(nèi)的任意類型的周期電壓作用條件下的電氣間隙、爬電距離及固體絕緣尺寸的確定。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

GB/T16935《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合》分為以下4個部分:
———第1部分:原理、要求和試驗(yàn);
———第3部分:利用涂層、罐封和模壓進(jìn)行防污保護(hù);
———第4部分:高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng);
———第5部分:不超過2mm 的電氣間隙和爬電距離的確定方法。
本部分是GB/T16935的第4部分。
本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本部分使用翻譯法等同采用IEC60664-4:2005《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第4部分:高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng)》。
本部分應(yīng)與GB/T16935.1—2008《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第1部分:原理、要求和試驗(yàn)》(IEC60664-1:2007,IDT)及GB/T16935.5—2008《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第5部分:不超過2mm 的電氣間隙和爬電距離的確定方法》(IEC60664-5:2007,IDT)配合使用。
本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。
本部分由全國低壓設(shè)備絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC417)歸口。
本部分起草單位:上海電器科學(xué)研究院。
本部分主要起草人:章建兵、包革、吳慶云。

標(biāo)準(zhǔn)目錄

前言 Ⅰ
引言 Ⅱ
1 范圍 1
2 規(guī)范性引用文件 1
3 術(shù)語和定義 2
4 電氣間隙 2
5 爬電距離 5
6 固體絕緣 7
7 高頻試驗(yàn) 9
8 非正弦電壓 11
附錄A (資料性附錄) 高頻電壓下電氣間隙的絕緣特性 13
附錄B(資料性附錄) 高頻電壓下爬電距離的絕緣特性 18
附錄C (資料性附錄) 高頻電壓下固體絕緣的絕緣特性 21
附錄D (規(guī)范性附錄) 高頻電壓下的絕緣試驗(yàn) 27
附錄E (資料性附錄) 非正弦高頻電壓作用下的絕緣特性 38
附錄F(資料性附錄) 絕緣尺寸確定程序框圖 43
參考文獻(xiàn) 45

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