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硅片徑向電阻率變化的測量方法 現行

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

標準號：GB/T 11073-2007

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基本信息

標準號：GB/T 11073-2007
發布時間：2007-12-18
實施時間：2008-02-01
首發日期：1989-03-31
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：梁洪、覃銳兵、王炎
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗綜合
提出單位：中國有色金屬工業協會
起草單位：峨嵋山半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國有色金屬工業協會

標準簡介

本標準規定了用直排四探針法測量硅片徑向電阻率變化的方法。

標準摘要

本標準是對GB/T11073-1989《硅片徑向電阻率變化的測量方法》的修訂。本標準修改采用了ASTM F8101《硅片徑向電阻率變化的測量方法》。
本標準與ASTM F8101的一致性程度為修改采用,主要差異如下:
---刪去了ASTM F8101第4章意義和用途。
本標準與GB/T11073-1989相比主要變化如下:
---因GB/T 6615 已并入GB/T 1552,本標準在修訂時將硅片電阻率測試方法標準改為GB/T1552,并將第2章規范性引用文件中的GB/T6615改為GB/T1552;
---采用ASTM F8101第8章計算中的計算方法替代原GB11073-1989中徑向電阻率變化的計算方法;
---依據GB/T1552將電阻率的測量上限由1×103 Ω·cm 改為3×103 Ω·cm;
---將原GB/T11073-1989中第7章測量誤差改為第4章干擾因素,并對其后各章章號作了相應調整;
---刪去了原GB/T11073-1989中的表1,采用GB/T12965規定的直徑偏差范圍;
---將原GB/T11073-1989中的表2改為表1,并依據GB/T12965中的規定,在本標準中刪去80.0mm 標稱直徑規格,增加了150.0mm 和200.0mm 標稱直徑規格。
本標準的附錄A 是規范性附錄。
本標準自實施之日起,同時代替GB/T11073-1989。
本標準由中國有色金屬工業協會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:梁洪、覃銳兵、王炎。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T11073-1989。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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