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工業硅化學分析方法 第4部分：雜質元素含量的測定 電感耦合等離子體原子發射光譜法 現行

Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 4:Determination of impurity contents—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method

標準號：GB/T 14849.4-2014

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基本信息

標準號：GB/T 14849.4-2014
發布時間：2014-12-05
實施時間：2015-08-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：劉 維 理、王 勁 榕、李 躍 平、趙 德 平、楊 毅、趙 建 為、王 云 舟、王 宏 磊、聶 長 虹、劉英波、盧國洪、吳豫強、張云暉、譚少姬、程志武、周杰
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 輕金屬及其合金分析方法
ICS分類：鋁和鋁合金
起草單位：昆明冶金研究院、中國鋁業股份有限公司鄭州研究院、昆明冶研新材料股份有限公司
歸口單位：全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC243)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國有色金屬工業協會

標準簡介

GB/T14849的本部分規定了工業硅中鐵、鋁、鈣、錳、鈦、鎳、銅、鉻、釩、鎂、鈷、磷、鉀、鈉、鉛、鋅、硼含量的測定方法。本部分適用于工業硅中鐵、鋁、鈣、錳、鈦、鎳、銅、鉻、釩、鎂、鈷、磷、鉀、鈉、鉛、鋅、硼量的測定。

標準摘要

GB/T14849《工業硅化學分析方法》分為9個部分:
———第1部分:鐵含量的測定 1,10-二氮雜菲分光光度法;
———第2部分:鋁含量的測定 鉻天青-S分光光度法;
———第3部分:鈣含量的測定 火焰原子吸收光譜法、偶氮氯膦Ⅰ分光光度法;
———第4部分:雜質元素含量的測定 電感耦合等離子體原子發射光譜法;
———第5部分:雜質元素含量的測定 X射線熒光光譜法;
———第6部分:碳含量的測定 紅外吸收法;
———第7部分:磷含量的測定 鉬藍分光光度法;
———第8部分:銅含量的測定 PADAP分光光度法;
———第9部分:鈦含量的測定 二安替比林甲烷分光光度法。
本部分為 GB/T14849的第4部分。
本部分按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本部分代替 GB/T14849.4—2008《工業硅化學分析方法 第4部分:電感耦合等離子體發射光譜法測定元素含量》。與 GB/T14849.4—2008相比,主要技術變化如下:
———增加了銅、鉻、釩、鎂、鈷、磷、鉀、鈉、鉛、鋅、硼的檢測;
———增加了兩種溶樣方式;
———補充了重復性限、再現性限實驗數據。
本部分由全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC243)歸口。
本部分負責起草單位:昆明冶金研究院、中國鋁業股份有限公司鄭州研究院、昆明冶研新材料股份有限公司。
本部分參加起草單位:云南出入境檢驗檢疫局技術中心、通標標準技術服務有限公司、浙江合盛硅業有限公司、云南永昌硅業股份有限公司。
本部分主要起 草 人:劉 維 理、王 勁 榕、李 躍 平、趙 德 平、楊 毅、趙 建 為、王 云 舟、王 宏 磊、聶 長 虹、劉英波、盧國洪、吳豫強、張云暉、譚少姬、程志武、周杰。
本部分所代替標準的歷次版本發布情況為:
———GB/T14849.4—2008。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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