半導體器件 集成電路 第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范 現行
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2-9: Digital integrated circuits - Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories
標準號：GB/T 17574.9-2006
基本信息
標準號：GB/T 17574.9-2006
發布時間：2006-12-05
實施時間：2007-05-01
首發日期：2006-12-05
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：施華莎
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半導體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學
提出單位：信息產業部
起草單位：中國電子科技集團公司第四十七研究所
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：信息產業部（電子）
標準簡介
本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一，本規范等同采用國際電工委員會（IEC）標準IEC 60748-2-9：1994《半導體器件 集成電路 第2-9部分：數字集成電路 紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范》。
推薦檢測機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
推薦認證機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
推薦培訓機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
? 2018 北京寰標偉業科技發展有限公司版權所有并保留所有權利。
ICP備案證書號：京ICP備17031081號-1 客服電話：010-62050868
