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硅單晶微缺陷的化學(xué)腐蝕檢驗方法 已作廢

Singie crystal sllicon-Detection of microdefects-Chemical etching technique

標(biāo)準(zhǔn)號：GB 4057-1983

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB 4057-1983
發(fā)布時間：1983-12-20
實施時間：1984-12-01
首發(fā)日期：
起草人：
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬化學(xué)性能試驗方法
起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料研究所

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)行之有效用于電阻率10-1~104Ω.cm的硅單晶。

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