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電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn) 已作廢

Electromagnetic compatibility - Testing and measurement techniques - Surge immunity test

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 17626.5-2008

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 17626.5-2008
發(fā)布時(shí)間：2008-05-20
實(shí)施時(shí)間：2009-01-01
首發(fā)日期：1999-08-02
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：陳世鋼、劉建鵬、蔡華強(qiáng)
作廢日期：2020-01-01
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 電磁兼容
ICS分類：電磁兼容性(EMC)
提出單位：全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 246)
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
歸口單位：全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 246)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

GB/T17626的本部分規(guī)定了設(shè)備對(duì)由開關(guān)和雷電瞬變過電壓引起的單極性浪涌(沖擊)的抗擾度要求、試驗(yàn)方法和推薦的試驗(yàn)等級(jí)范圍,規(guī)定了不同環(huán)境和安裝狀態(tài)下的幾個(gè)試驗(yàn)等級(jí)。本部分提出的要求適用于電氣和電子設(shè)備。本部分的目的是建立一個(gè)共同的基準(zhǔn),以評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在遭受浪涌(沖擊)時(shí)的性能。本部分規(guī)定了一個(gè)一致的試驗(yàn)方法,以評(píng)定設(shè)備或系統(tǒng)對(duì)規(guī)定現(xiàn)象的抗擾度。注:按GB/Z18509-2001規(guī)定,本部分是電磁兼容基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),供各產(chǎn)品委員會(huì)使用。GB/Z18509-2001還規(guī)定,產(chǎn)品委員會(huì)負(fù)責(zé)確定是否應(yīng)用本抗擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),如果使用,還應(yīng)負(fù)責(zé)確定合適的試驗(yàn)等級(jí)和性能判據(jù)。全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及其分技術(shù)委員會(huì)愿與產(chǎn)品委員會(huì)合作,以評(píng)估其產(chǎn)品的特殊抗擾度要求。本部分規(guī)定了:---試驗(yàn)等級(jí)的范圍;---試驗(yàn)設(shè)備;---試驗(yàn)配置;---試驗(yàn)程序。在實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)的任務(wù)就是要找出設(shè)備在規(guī)定的工作狀態(tài)下工作時(shí),對(duì)由開關(guān)或雷電作用所產(chǎn)生的有一定危害電平的浪涌(沖擊)電壓的反應(yīng)。本部分不對(duì)受試設(shè)備耐高壓的絕緣能力進(jìn)行試驗(yàn)。本部分不考慮直擊雷的雷電流的直接注入。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

GB/T17626《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》目前包括以下部分:
GB/T17626.1-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論
GB/T17626.2-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.3-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.4-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.5-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.6-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
GB/T17626.7-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則
GB/T17626.8-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.9-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.10-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.11-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.12-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 振蕩波抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.13-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.14-2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.16-2007 電磁兼容 試驗(yàn)與測(cè)量技術(shù) 0Hz~150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.17-2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.27-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.28-2006 電磁兼容 試 Tr9.703驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)
GB/T17626.29-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
本部分為GB/T17626的第5部分。
本部分等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-5:2005(第2 版)《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)》。
本部分對(duì)IEC61000-4-5:2005圖2、圖3、圖5和圖6中的縱坐標(biāo)標(biāo)題進(jìn)行了修正。
本部分代替GB/T17626.5-1999《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)》。
本部分的某些內(nèi)容有可能涉及專利。本部分的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。
本部分與GB/T17626.5-1999的主要差異如下:
1) 增加了新的定義;
2) 增加了開路電壓波10/700μs短路時(shí)的電流波形5/320μs;
3) 對(duì)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT 端口的電壓/電流波形進(jìn)行了規(guī)定;
4) 增加了耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)選用流程圖;
5) 非屏蔽不對(duì)稱互連線的試驗(yàn)配置中,增加了箝位型耦合元件方法;
6) 非屏蔽對(duì)稱互連線/通信線的試驗(yàn)配置中,刪除了線地耦合方式,只規(guī)定了所有線-地耦合方式,其耦合裝置也由并聯(lián)的電容和氣體放電管改為避雷器;
7) 增加了用于高速通信線的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)和高速通信線的試驗(yàn)要求;
8) 對(duì)于一端接地的屏蔽線的測(cè)試,取消了對(duì)地連接電容的要求;
9) 增加了在具有多根屏蔽電纜時(shí),對(duì)單根屏蔽電纜進(jìn)行測(cè)試的替代耦合方法;
10) 浪涌重復(fù)率改為至少每分鐘一次;
11) 對(duì)8.1.1氣候條件的要求進(jìn)行了修改;
12) 修改了對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的評(píng)價(jià);
13) 對(duì)試驗(yàn)報(bào)告給出了詳細(xì)的規(guī)定;
14) 修改了表A.1試驗(yàn)等級(jí)的選擇;
15) 增加了附錄B中有關(guān)系統(tǒng)級(jí)抗擾度的描述,刪除了1999版附錄B中的圖B.1~圖B.3;
16) 增加了附錄C;
17) 對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容重新進(jìn)行了編輯:
a) 將原標(biāo)準(zhǔn)中的第3章概述和第4章定義對(duì)調(diào);
b) 將原標(biāo)準(zhǔn)中的圖形由集中編排改為分散編排,圖形分散到了相關(guān)的文字段落。
本部分的附錄A、附錄B和附錄C 均為資料性附錄。
本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC246)提出并歸口。
本部分負(fù)責(zé)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所。
本部分主要起草人:陳世鋼、劉建鵬、蔡華強(qiáng)。
本部分代替標(biāo)準(zhǔn)歷次版本的發(fā)布情況為:
---GB/T17626.5-1999。

標(biāo)準(zhǔn)目錄

前言Ⅲ
1 范圍1
2 規(guī)范性引用文件1
3 術(shù)語(yǔ)和定義1
4 概述4
5 試驗(yàn)等級(jí)4
6 試驗(yàn)設(shè)備5
7 試驗(yàn)配置18
8 試驗(yàn)程序21
9 試驗(yàn)結(jié)果的評(píng)價(jià)22
10 試驗(yàn)報(bào)告23
附錄A (資料性附錄) 發(fā)生器和試驗(yàn)等級(jí)的選擇24
附錄B (資料性附錄) 注釋25
B.1 不同的源阻抗25
B.2 試驗(yàn)的運(yùn)用25
B.3 安裝的類別26
B.4 與供電網(wǎng)相連的端口的最小抗擾度27
B.5 與互連線相連的端口的設(shè)備級(jí)抗擾度27
附錄C (資料性附錄) 連接到低壓電源系統(tǒng)的設(shè)備要實(shí)現(xiàn)抗擾度需考慮的內(nèi)容28
參考文獻(xiàn)29

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