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光伏電池用硅材料補償度測量方法 現行

Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications

標準號：GB/T 29850-2013

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基本信息

標準號：GB/T 29850-2013
發布時間：2013-11-12
實施時間：2014-04-15
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：董顏輝、何秀坤、鄭彩萍、裴會川、馮亞彬、路景剛、張雪囡
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 元素半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
起草單位：信息產業專用材料質量監督檢驗中心、中國電子技術標準化研究院、無錫尚德太陽能電力有限公司、國家電子功能與輔助材料質量監督檢驗中心、天津市環歐半導體材料技術有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)

標準簡介

本標準規定了光伏電池用硅材料補償度的測量和分析方法。本標準適用于光伏電池用非摻雜硅材料補償度的測量和分析。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出并歸口。
本標準起草單位:信息產業專用材料質量監督檢驗中心、中國電子技術標準化研究院、無錫尚德太陽能電力有限公司、國家電子功能與輔助材料質量監督檢驗中心、天津市環歐半導體材料技術有限公司。
本標準主要起草人:董顏輝、何秀坤、鄭彩萍、裴會川、馮亞彬、路景剛、張雪囡。

替代情況

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引用標準

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