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硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法 現(xiàn)行

Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 25188-2010

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 25188-2010
發(fā)布時間：2010-09-26
實施時間：2011-08-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：劉芬、王海、趙良仲、宋小平、趙志娟、邱麗美
出版機構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
ICS分類：化學(xué)分析
提出單位：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
起草單位：中國科學(xué)院化學(xué)研究所、中國計量科學(xué)研究院
歸口單位：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一種準(zhǔn)確測量硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的方法,即X 射線光電子能譜法(XPS)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于熱氧化法在硅晶片表面制備的超薄氧化硅層厚度的準(zhǔn)確測量;通常,本標(biāo)準(zhǔn)適用的氧化硅層厚度不大于6nm。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國科學(xué)院化學(xué)研究所、中國計量科學(xué)研究院。
本標(biāo)準(zhǔn)起草人:劉芬、王海、趙良仲、宋小平、趙志娟、邱麗美。

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