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硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法 已作廢

Polycrystalline silicon—Examination method—Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere

標準號：GB/T 4059-2007

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基本信息

標準號：GB/T 4059-2007
發(fā)布時間：2007-12-18
實施時間：2008-02-01
首發(fā)日期：1983-12-20
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東
作廢日期：2019-11-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗綜合
提出單位：中國有色金屬工業(yè)協(xié)會
起草單位：蛾眉半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國有色金屬工業(yè)協(xié)會

標準簡介

本標準適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基磷的檢驗。

標準摘要

本標準是對GB/T4059-1983《硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法》的修訂。本標準修改采用了ASTM F1723-1996《用懸浮區(qū)熔法晶體生長和光譜學方法評價多晶硅棒的標準》。
本標準與ASTM F17231996的一致性程度是修改采用,其差異如下:
---刪去了ASTM F17231996第9章危害,因此,使用本標準時應建立相應的安全操作規(guī)范;
---刪去了ASTMF17231996第5章意義和用途、第10章10.2.3條垂直取芯、第15章關鍵詞。
本標準與原標準相比,主要變化如下:
---檢測雜質濃度范圍擴大為0.002ppba~100ppba;
---采用ASTM F172396規(guī)定的施主雜質測量范圍替代原GB/T4059-1983的測量范圍;
---依據ASTM F172396增加了用低溫紅外光譜和熒光光譜分析法測量樣品中的磷雜質含量的方法;
---增加了規(guī)范性引用文件、術語、允許差、計算;
---刪去了原標準中的附錄A;
---將原標準中的第5章檢驗條件修訂為干擾因素;
---將原標準中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;
---將原標準中的試樣尺寸范圍修訂為直徑15mm~20mm、長度為180mm;
---將原標準中的檢驗結果尺寸修訂為10mm~15mm。
本標準自實施之日起,同時代替GB/T4059-1983。
本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨眉半導體材料廠。
本標準主要起草人:羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB/T4059-1983。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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