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當(dāng)前位置: 首頁 > 300mm 硅單晶

300mm 硅單晶 現(xiàn)行

300 mm monocrystalline silicon

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 29504-2013

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 29504-2013
發(fā)布時(shí)間:2013-05-09
實(shí)施時(shí)間:2014-02-01
首發(fā)日期:
出版單位:中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:閆志瑞、孫燕、盧立延、張果虎、樓春蘭、劉培東、向磊
出版機(jī)構(gòu):中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 元素半導(dǎo)體材料
ICS分類:半導(dǎo)體材料
起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所、萬向硅峰電子股份有限公司、寧波立立電子股份有限公司。
歸口單位:全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)
發(fā)布部門:中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門:全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑300mm、p型、晶向、電阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 硅單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶,主要用于制作滿足集成電路IC用線寬0.13μm 及以下技術(shù)需求的300mm 硅單晶拋光片。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所、萬向硅峰電子股份有限公司、寧波立立電子股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:閆志瑞、孫燕、盧立延、張果虎、樓春蘭、劉培東、向磊。

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