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非本征半導體中少數載流子擴散長度的測試 表面光電壓法 現行

標準號:YS/T 679-2018

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基本信息

標準號:YS/T 679-2018
發布時間:2018-10-22
實施時間:2019-04-01
首發日期:
出版單位:冶金工業出版社查看詳情>
起草人:
出版機構:冶金工業出版社
發布部門:工業和信息化部

標準簡介

本標準規定了非本征半導體材料中少數載流子擴散長度的測試方法,包含穩態光電壓法、恒定光通量法和數字示波器記錄法。本標準適用于非本征半導體材料,如硅單晶片或相同導電類型重摻襯底上沉積的、已知電阻率的同質外延層中的少數載流子擴散長度的測試,測試樣品(外延層)的厚度大于擴散長度的4倍。本標準可測試樣品的電阻率和載流子壽命的極限尚未確定,但已對電阻率0.1Ω·cm~50Ω·cm、載流子壽命短至2ns的P型和N型硅樣品進行了測試。本標準還可通過測試擴散長度后計算出硅中的鐵含量。本標準也可用于測試其他半導體材料,如砷化鎵樣品(需同時調整相應的光照波長(能量)范圍和樣品制備工藝)等的有效擴散長度,評價晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品中的有效擴散長度,還可用于測試硅片潔凈區寬度,以及太陽能電池和其他光學器件的有效擴散長度。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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