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離子束蝕刻機通用規范 現行

General specification of ion beam etching system

標準號：GB/T 15861-2012

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基本信息

標準號：GB/T 15861-2012
發布時間：2012-11-05
實施時間：2013-02-15
首發日期：1995-12-22
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：陳特超、周大良
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 加工專用設備
ICS分類：  31-550
提出單位：中華人民共和國工業和信息化部
起草單位：中國電子科技集團公司第四十八研究所
歸口單位：中國電子技術標準化研究所
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國電子技術標準化研究所

標準簡介

本標準規定了離子束蝕刻機的術語、產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及包裝、運輸、貯存。本 標準適用于物理濺射腐蝕作用的通用離子束蝕刻機。其他專用離子束蝕刻機亦可參照執行。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準代替GB/T15861—1995《離子束蝕刻機通用技術條件》。
本標準與GB/T15861—1995相比主要變化如下:
———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替,SJ2573—1985由SJ/T10674—1995代替;
———環境溫度調整為20℃±10℃[見5.1a)];
———束能量范圍調整為0~2000eV,可調(見5.4.1);
———表1中束流密度0.5mA/cm2 調整為≥0.3mA/cm2,1mA/cm2 調整為0.8mA/cm2(見表1);
增加束能量為2000eV 時束流密度≥1mA/cm2(見表1);
———有效束徑規格增加了.50和.100兩種,去掉了.60(見5.4.4);
———中和方式增加了“電子源中和器”(見5.4);
———對束流密度檢測方法進行了更清楚的表述(見6.4.2);
———“膜厚均勻性為±5%的蝕刻樣片”改為“膜厚均勻性優于±2%、厚度2μm、制備了掩膜圖案的蝕刻樣片”(見6.4.10);
———檢驗規則去掉例行檢驗項(見7);
———增加包裝前檢查的條款(見8.2.1)。
本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。
本標準由中國電子技術標準化研究所歸口。
本標準起草單位:中國電子科技集團公司第四十八研究所。
本標準主要起草人:陳特超、周大良。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
———GB/T15861—1995。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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