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硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法 現(xiàn)行

Practice for shallow etch pit detection on silicon

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26066-2010

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26066-2010
發(fā)布時(shí)間：2011-01-10
實(shí)施時(shí)間：2011-10-01
首發(fā)日期：2011-01-10
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：田素霞、張靜雯、王文衛(wèi)、周濤
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)： 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類(lèi)：半導(dǎo)體材料
起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
發(fā)布部門(mén)：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門(mén)：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用熱氧化和化學(xué)擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測(cè)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)或晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:田素霞、張靜雯、王文衛(wèi)、周濤。

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