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半導(dǎo)體集成電路 塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic leaded chip carrier package

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 16525-2015

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 16525-2015
發(fā)布時(shí)間：2015-05-15
實(shí)施時(shí)間：2016-01-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：林桂賢、許金圍、洪玉云
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學(xué)
提出單位：中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位：廈門永紅科技有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：工業(yè)和信息化部（電子）

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體(PLCC)封裝引線框架(以下簡(jiǎn)稱引線框架)的技術(shù)要求及檢驗(yàn)規(guī)則。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體(PLCC)封裝引線框架的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)代替 GB/T16525—1996《塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范》。
本標(biāo)準(zhǔn)與 GB/T16525—1996相比主要變化如下:
———按照標(biāo)準(zhǔn)的使用范圍,將原標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為“半導(dǎo)體集成電路 塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范”;
———關(guān)于規(guī)范性引用文件:增加引導(dǎo)語(yǔ);抽樣標(biāo)準(zhǔn)由 GB/T2828.1—2012代替 SJ/Z9007—87;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129;
———標(biāo)準(zhǔn)中的4.1由“設(shè)計(jì)”改為“引線框架尺寸”,并將“精壓深度”“絕緣間隙”和“水平引線間距和位置(引線端部)”的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到4.2;
———對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的“4.2 引線框架形狀和位置公差”中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整,并增加了“芯片粘接區(qū)下陷”的有關(guān)要求;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“側(cè)彎”的要求(見(jiàn)4.2.1):原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了(203.2±50.8)mm 標(biāo)稱條長(zhǎng)上,側(cè)彎應(yīng)不大于0.051mm,本標(biāo)準(zhǔn)在整個(gè)標(biāo)稱長(zhǎng)度上進(jìn)行規(guī)定;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“卷曲”的要求(見(jiàn)4.2.2):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于0.51mm,本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“條帶扭曲”的要求(見(jiàn)4.2.4):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲不超過(guò)0.51mm,
本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲,并根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“引線扭曲”的要求(見(jiàn)4.2.5):原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上的最大偏移量,本標(biāo)準(zhǔn)刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“精壓深度”的要求(見(jiàn)4.2.6):原標(biāo)準(zhǔn)未考慮精壓深度對(duì)精壓寬度的影響,簡(jiǎn)單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍。本標(biāo)準(zhǔn)修改為:在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下,精壓深度不大于材料厚度的30%,其參考值為0.015mm~0.06mm;
———將“金屬間隙”修改為“絕緣間隙”(見(jiàn)4.2.7),并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“絕緣間隙”的要求:原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定“每邊最大精壓凸出不超過(guò)0.051mm,應(yīng)受金屬間隙要求的限制”,本標(biāo)準(zhǔn)修改為“相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.076mm”;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“芯片粘接區(qū)斜度”的要求(見(jiàn)4.2.9):原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條件下的最大斜度,本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長(zhǎng)或?qū)捗?.54mm 尺寸最大傾斜0.05mm;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“芯片粘接區(qū)平面度”的要求(見(jiàn)4.2.11):原標(biāo)準(zhǔn)4.2.8.2芯片粘接區(qū)平面度與原標(biāo)準(zhǔn)4.2.2.2重復(fù),本標(biāo)準(zhǔn)予以刪除。本標(biāo)準(zhǔn)取消了原標(biāo)準(zhǔn)4.2.2.2中每2.54mm 芯片粘接區(qū)長(zhǎng)度的限制;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“毛刺”的要求(見(jiàn)4.3.1):取消了原標(biāo)準(zhǔn)中連筋內(nèi)外不同區(qū)域垂直毛刺的不同要求,本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為0.025mm;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“凹坑、壓痕和劃痕”的要求(見(jiàn)4.3.2):在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)要求;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“局部鍍銀層厚度”的要求(見(jiàn)4.4.1):原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度,本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“鍍層外觀”的要求(見(jiàn)4.4.2):在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上,增加了對(duì)鍍層外觀的相關(guān)要求;
———增加了“銅剝離試驗(yàn)”的有關(guān)要求(見(jiàn)4.6);
———增加了“銀剝離試驗(yàn)”的有關(guān)要求(見(jiàn)4.7);
———對(duì)標(biāo)準(zhǔn)“5檢驗(yàn)規(guī)則”中相應(yīng)條款進(jìn)行修改,并增加了鑒定批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)內(nèi)容;
———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)“貯存”的有關(guān)要求:原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為三個(gè)月,本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為6個(gè)月(見(jiàn)7.2);
———增加了規(guī)范性附錄 A“引線框架機(jī)械測(cè)量”。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:廈門永紅科技有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:林桂賢、許金圍、洪玉云。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB/T16525—1996。

替代情況

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