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半導(dǎo)體光敏三極管集電極－發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法 已作廢

Method of measurement for collector-emitter reverse breakdown voltage of semiconductor phototransistors

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 2214.6-1982

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 2214.6-1982
發(fā)布時間：1982-11-30
實施時間：1983-07-01
首發(fā)日期：
起草人：
作廢日期：2015-10-01
標(biāo)準(zhǔn)分類： 技術(shù)管理

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