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銻化銦多晶、單晶及切割片 現行

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

標準號：GB/T 11072-2009

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基本信息

標準號：GB/T 11072-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1989-03-31
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王炎、何蘭英、張梅
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 化合物半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：峨嵋半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了銻化銦多晶、單晶及單晶切割片的產品分類、技術要求和試驗方法等。本標準適用于區熔法制備的銻化銦多晶及直拉法制備的供制作紅外探測器和磁敏元件等用的銻化銦多晶、單晶及切割片。

標準摘要

本標準代替GB/T11072-1989《銻化銦多晶、單晶及切割片》。
本標準與GB/T11072-1989相比,主要有如下變化:
---將原標準中直徑10mm~50mm 全部改為10mm~200mm;
---在原標準的基礎上增加了直徑>50mm,厚度不小于1200μm,厚度偏差±40μm;
---將原標準中位錯密度級別1、2、3中直徑≥30mm~50mm 全部改為≥30mm~200mm;
---在原標準的基礎上增加了直徑為100mm、150mm、200 mm 的切割片直徑、參考面長度及其偏差;
---將原標準中的附錄A 去掉,增加引用標準GB/T11297;
---增加了訂貨單(或合同)內容一章內容。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:王炎、何蘭英、張梅。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T11072-1989。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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