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碳化硅單晶材料電學參數測試方法 現行

Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material

標準號：SJ 20858-2002

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基本信息

標準號：SJ 20858-2002
發布時間：2002-12-12
實施時間：2003-05-01
首發日期：
出版單位：工業電子出版社查看詳情>
起草人：
出版機構：工業電子出版社
標準分類： 元素半導體材料
起草單位：中國電子科技集團公司第四十六所

標準簡介

本標準規定了碳化硅單晶材料的電阻率、霍爾遷移率測試方法。本標準適用于溫度在20℃～700℃范圍內的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅體單晶材料的電阻率、霍爾遷移率測量。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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