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表面化學(xué)分析——X射線光電子能譜-荷電控制和荷電校正方法的報(bào)告 現(xiàn)行

Surface chemical analysis—X-ray photoelectron spectroscopy—Reporting of methods used for charge control and charge correction

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 25185-2010

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 25185-2010
發(fā)布時(shí)間：2010-09-26
實(shí)施時(shí)間：2011-08-01
首發(fā)日期：2010-09-26
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：吳正龍
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
ICS分類：化學(xué)分析
提出單位：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
起草單位：北京師范大學(xué)分析測試中心
歸口單位：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)以最少量的資料描述了用X射線光電子能譜測量絕緣樣品內(nèi)能級(jí)結(jié)合能,及將在報(bào)告其分析結(jié)果時(shí)所采用的荷電控制和荷電校正方法,也給出了在結(jié)合能測量過程中對(duì)于荷電控制和荷電校正有用的方法資料。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)等同采用ISO19318:2004《表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 荷電控制和荷電校正方法的報(bào)告》。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位:北京師范大學(xué)分析測試中心。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:吳正龍。

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