微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定 現行
Test methods of precious metals pastes used for microelectronics Determination of sheet resistance
標準號：GB/T 17473.3-2008
本標準規定了微電子技術用貴金屬漿料中方阻的測定方法。本部分適用于微電子技術用貴金屬漿料方阻的測定。 本標準是對ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》（所有部分）的整合修訂，分為７個部分.本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定》。本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動：———將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定；———增加低溫固化型漿料方阻的測定方法；———原標準的原理中，“將漿料用絲網印刷在陶瓷基片，經過燒結后，膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網印刷在陶瓷基片或有機樹脂基片上，經過燒結或固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；———測厚儀修改為：光切顯微測厚儀用于燒結型漿料：范圍為０ｍｍ～５ ｍｍ，精度為０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。
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本標準是對GB/T17473-1998《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》(所有部分)的整合修訂,分為7個部分: ---GB/T17473.1-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 固體含量測定; ---GB/T17473.2-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 細度測定; ---GB/T17473.3-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定; ---GB/T17473.4-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 附著力測試; ---GB/T17473.5-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 粘度測定; ---GB/T17473.6-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定; ---GB/T17473.7-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性、耐焊性測定。 本部分為GB/T17473-2008的第3部分。 本部分代替GB/T17473.3-1998《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定》。 本部分與GB/T17473.3-1998相比,主要有如下變動: ---將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定; ---增加低溫固化型漿料方阻的測定方法; ---原標準的原理中,將漿料用絲網印刷在陶瓷基片,經過燒結后,膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下……修改為:將漿料用絲網印刷在陶瓷基片或有機樹脂基片上,經過燒結或固化后,膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下; ---測厚儀修改為:光切顯微測厚儀用于燒結型漿料:范圍為0mm~5 mm,精度為0.001 mm。 千分尺用于固化型漿料:范圍為0mm~5mm,精度為0.001mm。 本部分的附錄A 為規范性附錄。 本部分由中國有色金屬工業協會提出。 本部分由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。 本部分由貴研鉑業股份有限公司負責起草。 本部分主要起草人:金勿毀、劉繼松、李文琳、陳伏生、朱武勛、李晉。 本部分所代替標準的歷次版本發布情況為: ---GB/T17473.3-1998。 |
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