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硅單晶拋光試驗片規范 現行

Specification for polished test silicon wafers

標準號：GB/T 26065-2010

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基本信息

標準號：GB/T 26065-2010
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
首發日期：2011-01-10
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：宮龍飛、何良恩、許峰、黃笑容、劉培東、王飛堯
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
起草單位：寧波立立電子股份有限公司、杭州海納半導體有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)

標準簡介

本標準規定了半導體器件制備中用作檢驗和工藝控制的硅單晶試驗片的技術要求。本標準涵蓋尺寸規格、結晶取向及表面缺陷等特性要求。本標準涉及了50.8mm~300mm 所有標準直徑的硅拋光試驗片技術要求。對于更高要求的硅單晶拋光片規格,如:顆粒測試硅片、光刻分辨率試驗用硅片以及金屬離子監控片等,參見SEMI24《硅單晶優質拋光片規范》。

標準摘要

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。
本標準起草單位:寧波立立電子股份有限公司、杭州海納半導體有限公司。
本標準主要起草人:宮龍飛、何良恩、許峰、黃笑容、劉培東、王飛堯。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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