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碳化硅單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法 現行

Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching

標準號：GB/T 30868-2014

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基本信息

標準號：GB/T 30868-2014
發布時間：2014-07-24
實施時間：2015-02-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會川
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 化合物半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了利用熔融氫氧化鉀腐蝕法測定碳化硅單晶微管密度的方法。本標準適用于碳化硅單晶微管密度的測定。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院。
本標準主要起草人:丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會川。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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