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硅襯底上絕緣體薄膜厚度及折射率的橢圓偏振測試方法
硅襯底上絕緣體薄膜厚度及折射率的橢圓偏振測試方法 現行
Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
標準號：YS/T 839-2012
基本信息
標準號：YS/T 839-2012
發布時間：2012-11-07
實施時間：2013-03-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：高英、武斌、孫燕、徐繼平、徐自亮、黃黎
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 貴金屬及其合金
ICS分類：其他有色金屬及其合金
起草單位：中國計量科學研究院、有研半導體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿易(上海)有限公司
歸口單位：全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC 243)
發布部門：中華人民共和國工業和信息化部
主管部門：全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC 243)
標準簡介
本方法規定了用橢圓偏振測試方法測量生長或沉積在硅襯底上的絕緣體薄膜厚度及折射率的方法。本方法適用于薄膜對測試波長沒有吸收和襯底對測試波長處不透光、且已知測試波長處襯底折射率和消光系數的絕緣體薄膜厚度及折射率的測量。對于非絕緣體薄膜，滿足一定條件時,方可采用本方法。
標準摘要
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本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。 本標準由全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC243)歸口。 本標準起草單位:中國計量科學研究院、有研半導體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿易(上海)有限公司。 本標準主要起草人:高英、武斌、孫燕、徐繼平、徐自亮、黃黎。 |
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