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電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法 現行

Test method for SiO2 in electronic grade water by spectrophotometer

標準號：GB/T 11446.6-2013

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基本信息

標準號：GB/T 11446.6-2013
發布時間：2013-12-31
實施時間：2014-08-15
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王奕、褚連青、何秀坤、段曙光、提劉旺、劉筠
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 電子技術專用材料
ICS分類：  31-030
提出單位：中華人民共和國工業和信息化部
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國科學院半導體研究所、中國電子技術標準化研究院、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：中國電子技術標準化研究所
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國電子技術標準化研究所

標準簡介

本標準規定了電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法。 本標準適用于電子級水中二氧化硅的測定，其中檢出限為1μg/L。

標準摘要

GB/T11446預計結構如下:
———GB/T11446.1 電子級水;
———GB/T11446.2 (待定);
———GB/T11446.3 電子級水測試方法通則;
———GB/T11446.4 電子級水電阻率的測試方法;
———GB/T11446.5 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法;
———GB/T11446.6 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法;
———GB/T11446.7 電子級水中痕量陰離子的離子色譜測試方法;
———GB/T11446.8 電子級水中總有機碳的測試方法;
———GB/T11446.9 電子級水中微粒的儀器測試方法;
———GB/T11446.10 電子級水中細菌總數的濾膜培養測試方法。
本部分為GB/T11446的第6部分。
本部分按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本部分代替GB/T11446.6—1997《電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法》。
本部分與GB/T11446.6—1997相比,主要有下列變化:
———將“9干擾因素”修改為“5干擾因素”(見第5章);
———“工作曲線的繪制”中,根據待測水樣中二氧化硅含量,明確將工作曲線分為兩組(見9.1.1和9.1.2);
———增加了“對水樣獨立進行兩次測定,取其平均值”(見9.3.3)。
本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出。
本部分由中國電子技術標準化研究所歸口。
本部分起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國科學院半導體研究所、中國電子技術標準化研究院、中國電子科技集團公司第四十六研究所。
本部分主要起草人:王奕、褚連青、何秀坤、段曙光、提劉旺、劉筠。
本部分所代替標準的歷次版本發布情況為:
———GB/T11446.6—1989、GB/T11446.6—1997。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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