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半導體器件結-殼熱阻瞬態測試方法 現行

Junction-to-case thermal resistance transient test method of semiconductor devices

標準號：DB52/T 1104-2016

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基本信息

標準號：DB52/T 1104-2016
發布時間：2016-04-01
實施時間：2016-10-01
首發日期：
起草人：李明貴、禹忠、付悅、岳萍、劉德軍、鐘健思、曹珩、章俊華、林小文、邵建平、馬靜
標準分類： 半導體分立器件綜合
ICS分類：半導體器件綜合
提出單位：貴州省機械電子產品質量監督檢驗院
起草單位：貴州省機械電子產品質量監督檢驗院、中國振華集團永光電子有限公司
歸口單位：貴州省質量技術監督局
發布部門：貴州省質量技術監督局
主管部門：貴州省質量技術監督局

標準簡介

本標準規定了具有單一熱流路徑的半導體器件結-殼熱阻Rth(J-C)的瞬態測試方法。本標準適用于具有單一熱流路徑的半導體器件。

標準摘要

本標準按照GB/T 1.1-2009《標準化工作導則 第1部分：標準的結構和編寫》給出的規則起草。
請注意：本標準的某些內容可能涉及專利內容，本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。
本標準使用重新起草法修改采用JESD 51-14 2010《測量具有單一熱流路徑的半導體器件結殼熱阻的瞬態雙界面測試法》。
本標準與JESD 51-14 2010相比，在結構上增加了一章（4），刪除了一章（7）。
本標準與JESD 51-14 2010的技術性差異及其原因如下：
——將JESD 51-14 2010第4.2.1瞬態雙界面測量原理進行精簡后，寫入本標準5.4瞬態雙界面測量中，以增加可操作性；
——刪除了JESD 51-14 2010 第4.2.2溫度控制散熱器部分，以適應我國的技術條件；
——將JESD 51-14 2010第4.2部分定義的無/有導熱硅脂與熱油兩種測試狀態，重新定義為低/高導熱兩種測試狀態，以適應我國的技術條件；
——根據JESD 51-14 2010測試原理，本標準增加了測試原理圖、測試時序圖，以增加可操作性；
——本標準對兩條瞬態熱阻抗曲線的分離點確認和結-殼熱阻的計算只規定原理，不限制實現方法，以適應我國的技術條件。
本標準做了下列編輯性修改：
——將標準名稱修改為《半導體器件結-殼熱阻瞬態測試方法》；
——將JESD 51-14 2010 第5章調整為本標準資料性附錄A；
——關于規范性引用文件，調整如下：
刪除了JESD 51-14 2010第2章[N1][N2][N3][N4][N5][N6][N7]；
增加引用了GB/T 11499；
增加引用了GB/T 14862；
——刪除了JESD 51-14 2010附錄A、B、C、D。
本標準由貴州省機械電子產品質量監督檢驗院提出。
本標準由貴州省質量技術監督局歸口。
本標準起草單位：貴州省機械電子產品質量監督檢驗院、中國振華集團永光電子有限公司。
本標準主要起草人：李明貴、禹忠、付悅、岳萍、劉德軍、鐘健思、曹珩、章俊華、林小文、邵建平、馬靜。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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