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硅片翹曲度測試 自動非接觸掃描法 現行

Test method for warp of silicon wafers—Automated non-contact scanning method

標準號：GB/T 32280-2015

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基本信息

標準號：GB/T 32280-2015
發布時間：2015-12-10
實施時間：2017-01-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：孫燕、何宇、徐新華、王飛堯、張海英、樓春蘭、向興龍。
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：有研半導體材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、杭州海納半導體有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江省硅材料質量檢驗中心、東莞市華源光電科技有限公司。
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/T

標準簡介

本標準規定了硅片翹曲度的非破壞性、自動非接觸掃描測試方法。 本標準適用于直徑不小于50mm，厚度不小于100μm的潔凈、干燥的切割、研磨、腐蝕、拋光、刻蝕、外延或其他表面狀態硅片的翹曲度測試。本方法可用于監控因熱效應和（或）機械效應引起的硅片翹曲，也可用于砷化鎵、藍寶石等其他半導體晶片的翹曲度測試。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:有研半導體材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、杭州海納半導體有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江省硅材料質量檢驗中心、東莞市華源光電科技有限公司。
本標準主要起草人:孫燕、何宇、徐新華、王飛堯、張海英、樓春蘭、向興龍。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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